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型号 SI7784DP-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 8SOIC
SI7784DP-T1-GE3 PDF
代理商 SI7784DP-T1-GE3
产品目录绘图 DP-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
特色产品 N-Channel TrenchFET? Gen III Power MOSFETs with TurboFET?
标准包装 1
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 35A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 6 毫欧 @ 20A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 45nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1600pF @ 15V
功率 - 最大 27.7W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK? SO-8
供应商设备封装 PowerPAK? SO-8
包装 标准包装
产品目录页面 1662 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI7784DP-T1-GE3DKR
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